-
1 МДП-транзистор с индуцированным каналом
Makarov: induced-channel IGFET ( insulated-gate field-effect transistor), induced-channel insulated-gate field-effect transistor (induced-channel IGFET)Универсальный русско-английский словарь > МДП-транзистор с индуцированным каналом
-
2 МДП-транзистор с индуцированным каналом
abbrmicroel. Anreicherungs-IFET, Anreicherungs-MISFET, Anreicherungstyp, Enhancement-FET, Enhancement-MIS-Transistor, Enhancement-MISFETУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор с индуцированным каналом
-
3 МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа
abbrmicroel. n-Kanal Anreicherungs-MISFET, n-Kanal-Anreicherungs-MISFET, n-Kanal-Anreicherungstransistor, n-Kanal-AnreicherungstypУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа
-
4 транзистор
м. transistor
См. также в других словарях:
Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… … Википедия
Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… … Википедия
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
МОП-структура — (металл оксид полупроводник) наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида кремния SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл … … Википедия